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        熱門關鍵詞 : 石英晶體諧振器進口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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        溫補晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振

        頻率:9.600MHz~52.000MHz

        尺寸:2.5*2.0*0.8mm

        溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝.
        訂購熱線:0755-27837162

        kdshf

        KDS產品在業界屬于高端產品,其應用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,KDS振蕩器,跟普通的KDS晶體諧振器,兩者有一定的區別,晶體振蕩器是在壓電石英晶片兩邊施加機械壓力,在壓電石英晶片的放心產生電場,這樣的現象為壓電效應,普通石英晶體振蕩器一般應用范圍就一般的電子數碼產品.DSB221SCB晶振,2520mm進口溫補晶體振蕩器,SMD型有源晶振

        jlx-1

        溫補晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振,雖然不是最小型最薄型的一款TCXO晶振,但卻是市面上最常用的一種尺寸,每月產量達到6000萬顆,銷售全世界一百多個國家,成為人氣最高的一顆"明星"晶振,采用當今最先進的生產設備和近乎完美的工藝精心打造而成,因此才獲得全球用戶的支持和認可.

        jlx-2

        溫補晶振

        標示

        DSB221SCB晶振

        晶振基本信息對照表

        標準范圍

        f0

        9.600MHz~52.000MHz

         

        電源電圧

        Vcc

        +1.8V,+2.6V,+2.8V,+3.0V,+3.3V

         

        輸出電流

        Icc

        3.5 mA max.

        Vcc=3.3V

        頻率負載

        L_CMOS

        15pF

        CMOS 出力

        標準頻率偏差

        f_tol

        ±1.5ppm

        初期偏差、
        周波數溫度特性、
        電源、負荷変動特性、
        経時変化(1年、+25℃時)

        輸出電壓

        V

        VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

         

        對稱

        SYM

        40%~60%

        50% Vcc

        標準時間

        tr/tf

        12 ns max.(1.8~80MHz)

        10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF

        jlx-3

        DSA221SCL DSB221SCL DSB221SCB

        jlx-4

        超聲波清洗
        (1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。溫補晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振
        (2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
        (3)請勿清洗開啟式產品
        (4)對于可清洗產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
        (5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
        操作
        請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
        使用環境(溫度和濕度)
        請在規定的溫度范圍內使用產品。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。DSB221SCB晶振,2520mm進口溫補晶體振蕩器,SMD型有源晶振

        jlx-5
        設計振蕩回路的注意事項
        1.驅動能力
        驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
        驅動能力 (P) = i2?Re
        其中i表示經過晶體單元的電流,
        Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

        sjzrhl_4

        2.振蕩補償
        除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。溫補晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振

        sjzrhl_3
        3.負載電容
        如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。

        其中CS表示電路的雜散電容。DSB221SCB晶振,2520mm進口溫補晶體振蕩器,SMD型有源晶振

        sjzrhl_2

        頻率和負載電容特征圖器

        sjzrhl_1

        振蕩回路參數設置參考

        JLX-6

        RB-6

        wxewm

        公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

        聯系人:茹紅青

        手機:13510569637

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        郵箱:jinluodz@163.com

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