KDS晶振,有源晶振,DS1008JS晶振,石英水晶振蕩子
頻率:1.000MHz~100.000MHz
尺寸:1.0*0.8*0.22mm
體積的變小也試產品帶來了更高的的穩定性能,接縫密封有源晶振,精度高的,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高的速自動安裝和高的溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~3.3V,高的穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高的端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高的端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
KDS晶振性能穩定,精度高,體積小,在惡劣環境也能正常工作,TCXO溫補晶振溫度穩定度可達±0.5PPM.在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數量的高精度寬溫的制作. 具有最適合于移動通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產品.(可對應DC+1.8V±0.1Vto+3.2V±0.1V)高度:最高1.0mm,體積:0.007cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型晶振產品.(可對應回流焊) 無鉛產品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
KDS集團所有的石英晶振均符合歐盟環保標準,KDS內部采用嚴格的管理制度,以地球環保為理念,所有生產的石英晶振產品都是以盡可能的減少對地球的污染,所以KDS產品都是無鉛環?;?KDS還擁有遍布全球的銷售網絡,另外在大陸地區有極少數的代理商.KDS晶振,有源晶振,DS1008JS晶振,石英水晶振蕩子
KDS晶振,有源晶振,DS1008JS晶振,石英水晶振蕩子.有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V.3.3V,以應對不同IC產品需要.
石英晶振曲率半徑加工技術:石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑音叉振蕩子晶片設計可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計( a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算)
KDS晶振 |
標示 |
DS1008JS晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
1.000MHz~100.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+1.6V~+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標準頻率偏差 |
f_tol |
±20、±30、±50、±100×10-6 max. |
初期偏差、周波數溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、+25℃時) |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。KDS晶振,有源晶振,DS1008JS晶振,石英水晶振蕩子
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的KDS有源晶振的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作。
1、振蕩電路
石英晶體是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。在石英晶振的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更。
限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3pF的范圍內-33pF左右,僅供參考。
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