CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振

當前位置：首頁 » 石英晶振 » 西鐵城晶振 » 西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體

prevnext

西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體

頻率：30KHz~100KHz

尺寸：8.0*3.8mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術參數點擊下載

西鐵城在音叉水晶表晶振動子（石英晶振）這一領域也是遙遙領先的，與日本元器件品牌愛普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱世界日產五大品牌。對于西鐵城晶振動子,其要求相比其他各大品牌，工藝也是非常之嚴格。CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振

jlx-1

西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體,這一款產地來自日本的進口無源石英晶體,從研發成功到批量投入市場一直是大尺寸晶振中的佼佼者,因為KHz的8038mm的貼片晶振并不多,現在做的比較好的除了西鐵城株式會社,就是同是日系品牌的KDS大真空晶振和愛普生晶振公司,但最受歡迎的還是西鐵城的這款CM250C晶體.

jlx-2

西鐵城晶振	符號	CM250C晶振	西鐵城晶振基本信息對照表
Crystal標準頻率	f_nom	30KHz~100KHz
儲存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	特定的溫度
激勵功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯系我們金洛鑫電子
精度	f_— l	±30ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	12.5pF	可按客戶需求指定
串聯電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

CM200S-CM250Scct

jlx-4

PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存CM250C晶振時，會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2)請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害進口貼片晶振。如需在+150°C以上焊接晶體產品，建議使用SMD產品。在下列回流條件下，對晶體產品甚至SMD產品使用更高溫度，會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前，應檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的32.768K貼片晶振-單片機晶振產品在下列配置條件下進行焊接，請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振
jlx-5

輸出波形與測試電路
1.時序表

2測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）